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AD75062AD

产品描述

AD75062AD放大器基础信息:

AD75062AD是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16

AD75062AD放大器核心信息:

AD75062AD的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.000004 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为20000 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,AD75062AD的标称压摆率有10 V/us。厂商给出的AD75062AD的最大压摆率为17 mA.其最大电压增益为128,最小电压增益为1。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,AD75062AD增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3 MHz。

AD75062AD的标称供电电压为12 V,其对应的标称负供电电压为-12 V。AD75062AD的输入失调电压为20000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

AD75062AD的相关尺寸:

AD75062AD的宽度为:7.62 mm,长度为19.05 mmAD75062AD拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16

AD75062AD放大器其他信息:

其温度等级为:INDUSTRIAL。AD75062AD不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。AD75062AD的封装代码是:DIP。

AD75062AD封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。AD75062AD封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

产品类别放大器电路    仪表放大器   
文件大小313KB,共8页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
器件替换:AD75062AD替换放大器
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AD75062AD概述

AD75062AD放大器基础信息:

AD75062AD是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16

AD75062AD放大器核心信息:

AD75062AD的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.000004 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为20000 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,AD75062AD的标称压摆率有10 V/us。厂商给出的AD75062AD的最大压摆率为17 mA.其最大电压增益为128,最小电压增益为1。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,AD75062AD增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3 MHz。

AD75062AD的标称供电电压为12 V,其对应的标称负供电电压为-12 V。AD75062AD的输入失调电压为20000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

AD75062AD的相关尺寸:

AD75062AD的宽度为:7.62 mm,长度为19.05 mmAD75062AD拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16

AD75062AD放大器其他信息:

其温度等级为:INDUSTRIAL。AD75062AD不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。AD75062AD的封装代码是:DIP。

AD75062AD封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。AD75062AD封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

AD75062AD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码DIP
包装说明SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
针数16
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.000004 µA
标称带宽 (3dB)3 MHz
最大输入失调电流 (IIO)20000 µA
最大输入失调电压20000 µV
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
长度19.05 mm
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-12 V
最大非线性0.07%
功能数量1
端子数量16
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率10 V/us
最大压摆率17 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)12 V
表面贴装NO
技术BIMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压增益128
最小电压增益1
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

AD75062AD相似产品对比

AD75062AD AD75068AJ
描述 IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 20000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16, Instrumentation Amplifier IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 20000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CQCC44, CERAMIC, JLCC-44, Instrumentation Amplifier
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码 DIP LCC
包装说明 SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 CERAMIC, JLCC-44
针数 16 44
Reach Compliance Code not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.000004 µA 0.000004 µA
标称带宽 (3dB) 3 MHz 3 MHz
最大输入失调电流 (IIO) 20000 µA 20000 µA
最大输入失调电压 20000 µV 20000 µV
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 S-CQCC-J44
JESD-609代码 e0 e0
长度 19.05 mm 16.51 mm
负供电电压上限 -18 V -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -12 V -12 V
最大非线性 0.07% 0.07%
功能数量 1 1
端子数量 16 44
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP QCCJ
封装等效代码 DIP16,.3 LDCC44,.7SQ
封装形状 RECTANGULAR SQUARE
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 +-12 V +-12 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 3.42 mm
标称压摆率 10 V/us 10 V/us
最大压摆率 17 mA 66 mA
供电电压上限 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 12 V 12 V
表面贴装 NO YES
技术 BIMOS BIMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大电压增益 128 128
最小电压增益 1 1
宽度 7.62 mm 16.51 mm
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