AD75062AD放大器基础信息:
AD75062AD是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
AD75062AD放大器核心信息:
AD75062AD的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.000004 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为20000 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,AD75062AD的标称压摆率有10 V/us。厂商给出的AD75062AD的最大压摆率为17 mA.其最大电压增益为128,最小电压增益为1。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,AD75062AD增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3 MHz。
AD75062AD的标称供电电压为12 V,其对应的标称负供电电压为-12 V。AD75062AD的输入失调电压为20000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
AD75062AD的相关尺寸:
AD75062AD的宽度为:7.62 mm,长度为19.05 mmAD75062AD拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16
AD75062AD放大器其他信息:
其温度等级为:INDUSTRIAL。AD75062AD不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。AD75062AD的封装代码是:DIP。
AD75062AD封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。AD75062AD封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
AD75062AD放大器基础信息:
AD75062AD是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
AD75062AD放大器核心信息:
AD75062AD的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.000004 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为20000 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,AD75062AD的标称压摆率有10 V/us。厂商给出的AD75062AD的最大压摆率为17 mA.其最大电压增益为128,最小电压增益为1。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,AD75062AD增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3 MHz。
AD75062AD的标称供电电压为12 V,其对应的标称负供电电压为-12 V。AD75062AD的输入失调电压为20000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
AD75062AD的相关尺寸:
AD75062AD的宽度为:7.62 mm,长度为19.05 mmAD75062AD拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16
AD75062AD放大器其他信息:
其温度等级为:INDUSTRIAL。AD75062AD不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。AD75062AD的封装代码是:DIP。
AD75062AD封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。AD75062AD封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 3 MHz |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 20000 µA |
| 最大输入失调电压 | 20000 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.05 mm |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -12 V |
| 最大非线性 | 0.07% |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 10 V/us |
| 最大压摆率 | 17 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 12 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 最大电压增益 | 128 |
| 最小电压增益 | 1 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AD75062AD | AD75068AJ | |
|---|---|---|
| 描述 | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 20000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16, Instrumentation Amplifier | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 20000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CQCC44, CERAMIC, JLCC-44, Instrumentation Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | LCC |
| 包装说明 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 | CERAMIC, JLCC-44 |
| 针数 | 16 | 44 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA | 0.000004 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 3 MHz | 3 MHz |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 20000 µA | 20000 µA |
| 最大输入失调电压 | 20000 µV | 20000 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 | S-CQCC-J44 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 19.05 mm | 16.51 mm |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -12 V | -12 V |
| 最大非线性 | 0.07% | 0.07% |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 44 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | QCCJ |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | LDCC44,.7SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-12 V | +-12 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 3.42 mm |
| 标称压摆率 | 10 V/us | 10 V/us |
| 最大压摆率 | 17 mA | 66 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 12 V | 12 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | BIMOS | BIMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大电压增益 | 128 | 128 |
| 最小电压增益 | 1 | 1 |
| 宽度 | 7.62 mm | 16.51 mm |
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