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IXTA130N10T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
产品类别晶体管   
文件大小143KB,共5页
制造商IXYS
标准  
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IXTA130N10T在线购买

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IXTA130N10T概述

Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

IXTA130N10T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID12289910
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryMOSFET (N-Channel)
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameTO-263HV *
Samacsys Released Date2020-02-15 00:15:00
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)130 A
最大漏极电流 (ID)130 A
最大漏源导通电阻0.0091 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)350 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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