MXLSMCJ85AE3/TR,MXLSMCJ85AE3/TR pdf中文资料,MXLSMCJ85AE3/TR引脚图,MXLSMCJ85AE3/TR电路-Datasheet-电子工程世界

MXLSMCJ85AE3/TR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小440KB，共7页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MXLSMCJ85AE3/TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	R-PDSO-J2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	104 V
最小击穿电压	94.4 V
击穿电压标称值	99.2 V
最大钳位电压	137 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-J2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.56 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	85 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
Base Number Matches	1

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