电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

PR1002-A

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小63KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
下载文档 全文预览

PR1002-A概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

文档预览

下载PDF文档
PR1001 - PR1005
1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER
Please click here to visit our online spice models database.
Features
Diffused Junction
Fast Switching for High Efficiency
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
Surge Overload Rating to 30A Peak
Low Reverse Leakage Current
Lead Free Finish, RoHS compliant (Note 4)
Mechanical Data
Case: DO-41
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification
Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Terminals: Finish - Tin. Plated Leads Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Type Number
Ordering Information: See Page 3
Weight: 0.35 grams (approximate)
Dim
A
B
C
D
DO-41 Plastic
Min
25.40
4.06
0.71
2.00
Max
5.21
0.864
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage (Note 5)
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current (Note 1) @ T
A
= 75°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
Forward Voltage Drop @ I
F
= 1.0A
Peak Reverse Current @ T
A
= 25°C
at Rated DC Blocking Voltage (Note 5) @ T
A
= 100°C
Reverse Recovery Time (Note 3)
Typical Total Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
@T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
T
R
θ
JA
T
J,
T
STG
PR1001
50
35
PR1002
100
70
PR1003
200
140
1.0
30
1.2
5.0
100
150
15
75
-65 to +150
PR1004
400
280
PR1005
600
420
Unit
V
V
A
A
V
μA
250
8.0
ns
pF
°C/W
°C
Valid provided that leads are maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1A, I
rr
= 0.25A. See figure 5.
EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.
Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DS26008 Rev. 4 - 2
1 of 3
www.diodes.com
PR1001 - PR1005
© Diodes Incorporated
不要轻易谈“辞职”
辞职   一份工作做得很烦了,情绪抑制不住了,就想着辞职.可是辞职并不是最好的一种方法,因为我们都知道,辞职意味着自由了,没有人管了没有事情烦心了,同时也意味没地方展现自己了,没 ......
绿茶 工作这点儿事
昨天购物时对电子工程师这份职业的感慨
昨晚,我去北京东四环的燕莎奥特莱斯买东西时,在C座,有两个男人引起了我的注意。起初是因为俩个男人一起搭伴儿逛街的太少,我不禁多看了几眼,发现他们竟然还有收获,手里拎着纸袋。这是俩个 ......
向农 工作这点儿事
EDMA例程的通道和TCC选择问题
今天在6657EVM平台上跑 C:\ti\edma3_lld_02_11_05_02\examples\edma3_driver\evm6657\sample_app 这里的例程的时候, 在edma_test()中, tcc 和 chId 这两个参数怎么修改,我填了5和5一直 ......
yanbaoyu DSP 与 ARM 处理器
晶振的负载电容和频偏的计算方法总结
负载电容的计算方法: 在做电路设计的时候,很多工程师不知道晶振的负载电容改如何计算,在设计的时候,很多人都凭借的经验加个20PF,或者22PF,18PF。 晶振的两个引脚与芯片(如单片 ......
卓联微科技 PCB设计
【社区大讲堂】深入剖析恩智浦LPC1000处理器(已评奖)
缘起:   就在我们还沉浸于51、ARM7、ARM9等内核时,似乎一夜之间,Cortex内核一下子传遍了大江南北。这究竟是一个什么样的概念?又如何了解这个火得不能再火的概念?   本期【社区大 ......
EEWORLD社区 单片机
STVD编译出错,这个提示信息是什么意思呢?
Running Linker clnk -m Debug\touch_sensing.map -l"D:\zdd\Program Files (x86)\CXSTM8\Lib"-o Debug\touch_sensing.sm8 Debug\touch_sensing.lkf #error clnk Debug\touch_sensi ......
ling281021799 stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1034  1397  1117  2878  2542  21  29  23  58  52 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved