MT41J256M16HA-125:E,MT41J256M16HA-125:E pdf中文资料,MT41J256M16HA-125:E引脚图,MT41J256M16HA-125:E电路-Datasheet-电子工程世界

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MT41J256M16HA-125:E: 产品描述DDR DRAM, 256MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96; 产品类别存储; 文件大小3MB，共213页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT41J256M16HA-125:E概述

DDR DRAM, 256MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96

MT41J256M16HA-125:E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
包装说明	TFBGA, BGA96,9X16,32
Reach Compliance Code	not_compliant
Is Samacsys	N
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.225 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	8
JESD-30 代码	R-PBGA-B96
JESD-609代码	e1
长度	14 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	96
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	256MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA96,9X16,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	8
最大待机电流	0.018 A
最大压摆率	0.243 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	9 mm
Base Number Matches	1

MT41J256M16HA-125:E相似产品对比

	MT41J256M16HA-125:E	MT41J256M16HA-093G:E	MT41J512M8RH-107:E
描述	DDR DRAM, 256MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96	DDR DRAM, 256MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, 9 X 14 MM, LEAD FREE, FBGA-96	DDR DRAM, 512MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, 9 X 10.50 MM, LEAD FREE, FBGA-78
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	TFBGA, BGA96,9X16,32	TFBGA, BGA96,9X16,32	TFBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.225 ns	0.18 ns	0.195 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz	1066 MHz	933 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	8	8	8
JESD-30 代码	R-PBGA-B96	R-PBGA-B96	R-PBGA-B78
长度	14 mm	14 mm	10.5 mm
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	8
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	96	96	78
字数	268435456 words	268435456 words	536870912 words
字数代码	256000000	256000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
组织	256MX16	256MX16	512MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA96,9X16,32	BGA96,9X16,32	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.5 V	1.5 V	1.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES
连续突发长度	8	8	8
最大待机电流	0.018 A	0.018 A	0.018 A
最大压摆率	0.243 mA	0.305 mA	0.251 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	9 mm	9 mm	9 mm
JESD-609代码	e1	-	e1
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30
Base Number Matches	1	1	-

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