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KM418C256ALT-6

产品描述Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, TSOP2-44/40
产品类别存储   
文件大小62KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM418C256ALT-6概述

Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, TSOP2-44/40

KM418C256ALT-6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP40/44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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[size=14px]lattice Diamond license,最新版可用,[/size][color=#ff0000][size=14px]郑重声明:该文件仅作技术交流使用,由此所造成的侵权的一起后果如本人无关。[/size][/color][color=#ff0000][size=14px][/size][/color]...
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