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MRF951

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M238, MACRO-X-4
产品类别晶体管   
文件大小200KB,共5页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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MRF951概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M238, MACRO-X-4

MRF951规格参数

参数名称属性值
厂商名称ADPOW
包装说明DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8000 MHz
Base Number Matches1

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MRF951
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Fully Implanted Base and Emitter Structure.
High Gain, Gain at Optimum Noise Figure = 14 dB @ 1 GHz
Low Noise Figure – 1.3dB @ 1GHz
Ftau - 8.0 GHz @ 6v, 30mA
Cost Effective Macro X Package
Macro X
DESCRIPTION:
Designed for use in high gain, low noise small-signal amplifiers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Value
10
20
1.5
100
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75ºC
.475
Storage Junction Temperature Range
-65 to +150
Maximum Junction Temperature
150
ºC
ºC
Watts
Tstg
T
Jmax
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