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MRF951

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), L Band, Silicon, NPN,
产品类别晶体管   
文件大小22KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF951概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), L Band, Silicon, NPN,

MRF951规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压10 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带L BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MRF951
NPN SILICON RF TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI
MRF951
is Designed for high
gain. Low noise small-signal amplifiers.
Applications up to 2.0 GHz.
PACKAGE STYLE
Dim. Are in mm
FEATURES:
Low Noise Figure
High Gain
Omnigold™
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
100 mA
20 V
10 V
1.5 V
1.0 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +150 °C
-65 °C to +150 °C
100 °C/W
Leads 1 and 3 = Emitter
2 = Collector
4 = Base
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
cb
G
NF
NF
50Ω
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 0.1 mA
I
C
= 0.1 mA
V
CB
= 10 V
V
EB
= 1.0 V
V
CE
= 6.0 V
V
CB
= 10 V
V
CE
= 6.0 V
V
CE
= 6.0 V
I
C
= 5.0 mA
I
C
= 5.0 mA
I
C
= 5.0 mA
f = 1.0 MHz
f = 1.0 GHz
f = 2.0 GHz
f = 1.0 GHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
20
10
0.1
0.1
50
0.45
14
9.0
1.9
2.8
200
UNITS
V
V
µA
µA
---
pF
dB
dB
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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