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MRF5812R1

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M240, SO-8
产品类别晶体管   
文件大小168KB,共5页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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MRF5812R1概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M240, SO-8

MRF5812R1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADPOW
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量2 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G8
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)5000 MHz
Base Number Matches1

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF5812, R1, R2
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz
Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
Cost Effective SO-8 package
SO-8
R1 suffix–Tape and Reel, 500 units
R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units
DESCRIPTION:
Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
15
30
2.5
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 25ºC
Derate above 25ºC
1.25
10
Watts
mW/ ºC
PRELIMINARY
MRF581/MRF581A.PDF
3-10-99

MRF5812R1相似产品对比

MRF5812R1 MRF5812R2
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M240, SO-8 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, M240, SO-8
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ADPOW ADPOW
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
基于收集器的最大容量 2 pF 2 pF
集电极-发射极最大电压 15 V 15 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 8 8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 225 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 5000 MHz 5000 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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