Single-Ended Multiplexer, 1 Func, 16 Channel, CMOS, CDIP28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 信道数量 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 标称断态隔离度 | 50 dB |
| 最大通态电阻 (Ron) | 300 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大信号电流 | 0.02 A |
| 最大供电电流 (Isup) | 3 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长断开时间 | 500 ns |
| 最长接通时间 | 500 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| HI1-506/883 | HI1-507/883 | HI4-507/883 | HI4-506/883 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Single-Ended Multiplexer, 1 Func, 16 Channel, CMOS, CDIP28 | Differential Multiplexer, 1 Func, 8 Channel, CMOS, CDIP28, | Differential Multiplexer, 1 Func, 8 Channel, CMOS, CQCC28 | Single-Ended Multiplexer, 1 Func, 16 Channel, CMOS, CQCC28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris | Harris | Harris | Harris |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 | QCCN, LCC28,.45SQ | QCCN, LCC28,.45SQ |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER | - |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | S-CQCC-N28 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | - |
| 信道数量 | 16 | 8 | 8 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 | - |
| 标称断态隔离度 | 50 dB | 50 dB | 50 dB | - |
| 最大通态电阻 (Ron) | 300 Ω | 300 Ω | 300 Ω | - |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - |
| 封装代码 | DIP | DIP | QCCN | - |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | LCC28,.45SQ | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE | - |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 最大信号电流 | 0.02 A | 1 A | 0.02 A | - |
| 最大供电电流 (Isup) | 3 mA | 3 mA | 3 mA | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | - |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | - |
| 最长断开时间 | 500 ns | 500 ns | 500 ns | - |
| 最长接通时间 | 500 ns | 500 ns | 500 ns | - |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
