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K9F1216Q0A-HIB00

产品描述Flash, 32MX16, 30ns, PBGA63, TBGA-63
产品类别存储   
文件大小831KB,共48页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K9F1216Q0A-HIB00概述

Flash, 32MX16, 30ns, PBGA63, TBGA-63

K9F1216Q0A-HIB00规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间30 ns
其他特性CONTAINS ADDITIONAL 16M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码R-PBGA-B63
长度15 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量63
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.5 mm
Base Number Matches1
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