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SISS98DN-T1-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.1A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):57W 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小344KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SISS98DN-T1-GE3在线购买

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SISS98DN-T1-GE3概述

漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.1A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):57W 类型:N沟道

SISS98DN-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)14.1A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻105mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)57W
类型N沟道
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