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SQJA96EP-T1_GE3

产品描述漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:21.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,80V,30A,0.0215Ω@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小220KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SQJA96EP-T1_GE3概述

漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:21.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,80V,30A,0.0215Ω@10V

SQJA96EP-T1_GE3规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A(Tc)
栅源极阈值电压3.5V @ 250uA
漏源导通电阻21.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W(Tc)
类型N沟道

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