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SUM70060E-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):131A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W 类型:N沟道 N沟道,100V,131A,0.0056Ω@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小194KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SUM70060E-GE3概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):131A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W 类型:N沟道 N沟道,100V,131A,0.0056Ω@10V

SUM70060E-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Objectid8175963563
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
compound_id224205371
雪崩能效等级(Eas)125 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)131 A
最大漏源导通电阻0.0062 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)240 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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