漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):15W 类型:P沟道 MOSFETP-CH40V110AD2PAK
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 281 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 110 A |
最大漏极电流 (ID) | 39 A |
最大漏源导通电阻 | 0.005 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 15 W |
最大功率耗散 (Abs) | 375 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 240 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 220 ns |
最大开启时间(吨) | 480 ns |
Base Number Matches | 1 |
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