漏源电压（Vdss）：12V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：46W 类型：双N沟道 双N沟道,12V,60A,0.0034Ω@4.5V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | MOSFET 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 24.8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.005 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-C6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 46 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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