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SI7108DN-T1-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.9mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小528KB,共12页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7108DN-T1-GE3在线购买

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SI7108DN-T1-GE3概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.9mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

SI7108DN-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)24 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.0049 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XDSO-C5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)60 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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