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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SQ7414AEN-T1_GE3
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SQ7414AEN-T1_GE3

产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62W 类型：N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小642KB，共15页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SQ7414AEN-T1_GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SQ7414AEN-T1_GE3概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 5.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62W 类型：N沟道

SQ7414AEN-T1_GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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