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SI3410DV-T1-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:19.5mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.1W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小198KB,共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI3410DV-T1-GE3在线购买

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SI3410DV-T1-GE3概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:19.5mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.1W(Tc) 类型:N沟道

SI3410DV-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.0195 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-193AA
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)4.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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