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SIA527DJ-T1-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):7.8W 类型:N沟道和P沟道 N+P双沟道,12V/4.5A(-12V/-4.5A)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小331KB,共14页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIA527DJ-T1-GE3在线购买

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SIA527DJ-T1-GE3概述

漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):7.8W 类型:N沟道和P沟道 N+P双沟道,12V/4.5A(-12V/-4.5A)

SIA527DJ-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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