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SIS414DN-T1-GE3: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,20A,0.016Ω@4.5V; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小581KB，共13页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,20A,0.016Ω@4.5V

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY