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SIRA52DP-T1-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.7mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小404KB,共13页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIRA52DP-T1-GE3在线购买

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SIRA52DP-T1-GE3概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.7mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道

SIRA52DP-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A(Tc)
栅源极阈值电压2.4V @ 250uA
漏源导通电阻1.7mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W
类型N沟道

 
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