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SIHG17N80E-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小125KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHG17N80E-GE3在线购买

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SIHG17N80E-GE3概述

漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):208W(Tc) 类型:N沟道

SIHG17N80E-GE3规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)15A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻290mΩ @ 8.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)208W(Tc)
类型N沟道

 
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