SI7489DP-T1-E3,SI7489DP-T1-E3 pdf中文资料,SI7489DP-T1-E3引脚图,SI7489DP-T1-E3电路-Datasheet-电子工程世界

SI7489DP-T1-E3: 产品描述漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：41mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：P沟道; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小307KB，共13页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：41mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：P沟道

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Samacsys Description	MOSFET P-Ch 100V 7.8A PowerPAK SO8 Vishay SI7489DP-T1-E3 P-channel MOSFET Transistor, 28 A, 100 V, 8-Pin SOIC
雪崩能效等级（Eas）	61 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	28 A
最大漏源导通电阻	0.041 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-F5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	315 ns
最大开启时间（吨）	55 ns

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ