SIHP12N60E-GE3,SIHP12N60E-GE3 pdf中文资料,SIHP12N60E-GE3引脚图,SIHP12N60E-GE3电路-Datasheet-电子工程世界

SIHP12N60E-GE3: 产品描述漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小291KB，共8页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

下载文档详细参数全文预览

SIHP12N60E-GE3在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	SIHP12N60E-GE3	-	-	点击查看	点击购买

漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	117 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	12 A
最大漏极电流 (ID)	12 A
最大漏源导通电阻	0.38 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	147 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	27 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190