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SI1021R-T1-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):190mA 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:P沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小153KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI1021R-T1-GE3在线购买

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SI1021R-T1-GE3概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):190mA 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:P沟道

SI1021R-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SC-75A
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID317193
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryMOSFET (P-Channel)
Samacsys Package CategorySOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint NameSC-75A
Samacsys Released Date2020-04-10 15:21:25
Is SamacsysN
其他特性LOW THRESHOLD
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.19 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值0.25 W
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si1021R
Vishay Siliconix
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS(min.)
(V)
- 60
R
DS(on)
()
4.0 at V
GS
= - 10 V
V
GS(th)
(V)
- 1 to 3.0
I
D
(mA)
- 190
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• High-Side Switching
• Low On-Resistance: 4
• Low Threshold: - 2 V (typ.)
• Fast Switching Speed: 20 ns (typ.)
• Low Input Capacitance: 20 pF (typ.)
• Miniature Package
• ESD Protected: 2000 V
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SC-75A
(SOT-416)
G
1
APPLICATIONS
3
D
S
2
Marking Code: F
• Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories, Transistors, etc.
• Battery Operated Systems
• Power Supply Converter Circuits
• Solid-State Relays
Top
View
Ordering Information:
Si1021R-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
BENEFITS
Ease in Driving Switches
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Easily Driven without Buffer
Small Board Area
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
b
Power Dissipation
a
Maximum Junction-to-Ambient
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
stg
Limit
- 60
± 20
- 190
- 135
- 650
250
130
500
- 55 to 150
mW
°C/W
°C
mA
Unit
V
Document Number: 71410
S10-2687-Rev. F, 22-Nov-10
www.vishay.com
1

 
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