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SB540-E3/54

产品描述直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):480mV @ 5A 40V,5A,VF=0.48V@5A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SB540-E3/54概述

直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):480mV @ 5A 40V,5A,VF=0.48V@5A

SB540-E3/54规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.48 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流220 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

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SB520 thru SB560
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifier
FEATURES
• Guardring for overvoltage protection
• Extremely fast switching
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• High frequency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
DO-201AD
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
max.
5.0 A
20 V to 60 V
220 A
0.48 V, 0.65 V
150 °C
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at 0.375" (9.5 mm) lead length (fig. 1)
Peak forward surge current, 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
SB520
20
14
20
SB530
30
21
30
SB540
40
28
40
5.0
220
- 65 to + 150
- 65 to + 150
SB550
50
35
50
SB560
60
42
60
UNIT
V
V
V
A
A
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage
Maximum instantaneous
reverse current at rated
DC blocking voltage
TEST CONDITIONS
5.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
SYMBOL
V
F (1)
SB520
SB530
0.48
0.5
I
R (1)
50
25
mA
SB540
SB550
0.65
SB560
UNIT
V
Note
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
Document Number: 88721
Revision: 19-Oct-09
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
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