SI7430DP-T1-E3,SI7430DP-T1-E3 pdf中文资料,SI7430DP-T1-E3引脚图,SI7430DP-T1-E3电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SI7430DP-T1-E3

SI7430DP-T1-E3: 产品描述漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：N沟道; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小321KB，共13页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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SI7430DP-T1-E3概述

漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：N沟道

SI7430DP-T1-E3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	20 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	26 A
最大漏极电流 (ID)	7.2 A
最大漏源导通电阻	0.047 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XDSO-C5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	64 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	50 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

SI7430DP-T1-E3相似产品对比

	SI7430DP-T1-E3	SI7430DP-T1-GE3
描述	漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：N沟道	漏源电压（Vdss）：150V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：N沟道
是否无铅	不含铅	不含铅
零件包装代码	SOT	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数	8	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	20 mJ	20 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	26 A	26 A
最大漏极电流 (ID)	7.2 A	7.2 A
最大漏源导通电阻	0.047 Ω	0.047 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XDSO-C5	R-XDSO-C5
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	5	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	64 W	64 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	50 A	50 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN
端子形式	C BEND	C BEND
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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