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IRFP150PBF

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):41A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 N沟道,100V,41A,55mΩ@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小889KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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IRFP150PBF在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IRFP150PBF概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):41A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 N沟道,100V,41A,55mΩ@10V

IRFP150PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-247AC
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
其他特性AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)830 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
最大漏极电流 (ID)41 A
最大漏源导通电阻0.055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)160 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD - 95003
IRFP150PbF
Lead-Free
www.irf.com
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