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UH20FCT-E3/4W

产品描述直流反向耐压(Vr):300V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):1.2V @ 10A 反向恢复时间(trr):35ns
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小139KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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UH20FCT-E3/4W概述

直流反向耐压(Vr):300V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):1.2V @ 10A 反向恢复时间(trr):35ns

UH20FCT-E3/4W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.015 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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New Product
UH20FCT& UHB20FCT
Vishay General Semiconductor
Dual Common-Cathode Ultrafast Recovery Rectifier
FEATURES
• Oxide planar chip junction
TO-220AB
TO-263AB
K
• Ultrafast recovery times
• Soft recovery characteristics
• Low switching losses, high efficiency
2
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
2
UH20FCT
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
3
UHB20FCT
PIN 1
PIN 2
1
1
K
HEATSINK
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB package)
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency power factor correctors,
switching mode power supplies, freewheeling diodes
and secondary dc-to-dc rectification application.
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB and TO-263AB
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class
1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
max.
10 A x 2
300 V
180 A
25 ns
0.83 V
175 °C
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified
current (see Fig.1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
per device
per diode
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
UH20FCT
300
20
10
180
- 55 to + 175
UHB20FCT
UNIT
V
A
A
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
I
F
= 5.0 A
I
F
= 5.0 A
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
SYMBOL
TYP.
0.96
0.77
V
F
1.0
0.83
MAX.
-
-
V
1.2
0.90
UNIT
Maximum instantaneous forward voltage
per diode
(1)
Document Number: 88964
Revision: 13-May-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
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