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IRFR320TRPbF

产品描述漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,400V,3.1A,1.8Ω@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小864KB,共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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IRFR320TRPbF在线购买

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IRFR320TRPbF概述

漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,400V,3.1A,1.8Ω@10V

IRFR320TRPbF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time6 weeks
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)160 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.1 A
最大漏极电流 (ID)3.1 A
最大漏源导通电阻1.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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