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LF444CN/NOPB

产品描述增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:4 运放类型:J-FET 各通道功耗:600uA 压摆率(SR):1 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V LF444 Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共18页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数 选型对比

LF444CN/NOPB概述

增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:4 运放类型:J-FET 各通道功耗:600uA 压摆率(SR):1 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V LF444 Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier

LF444CN/NOPB规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys DescriptionQuad Low Power JFET Input Operational Amplifier
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.0001 µA
最小共模抑制比70 dB
标称共模抑制比100 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00005 µA
最大输入失调电压5000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e3
长度19.18 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量4
端子数量14
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
功率NO
电源+-15 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率1 V/us
最大压摆率0.2 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1000 kHz
最小电压增益15000
宽带NO
宽度7.62 mm

LF444CN/NOPB相似产品对比

LF444CN/NOPB LF444CMX/NOPB
描述 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:4 运放类型:J-FET 各通道功耗:600uA 压摆率(SR):1 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V LF444 Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:4 运放类型:J-FET 各通道功耗:600uA 压摆率(SR):1 V/us 电源电压:10V ~ 36V, ±5V ~ 18V
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP SOIC
包装说明 DIP, DIP14,.3 SOP, SOP14,.25
针数 14 14
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 1 week
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00005 µA 0.00005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.0001 µA 0.0001 µA
最小共模抑制比 70 dB 70 dB
标称共模抑制比 100 dB 100 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.00005 µA 0.00005 µA
最大输入失调电压 5000 µV 5000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14
JESD-609代码 e3 e3
长度 19.18 mm 8.65 mm
低-偏置 YES YES
低-失调 NO NO
微功率 YES YES
湿度敏感等级 1 1
负供电电压上限 -18 V -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V
功能数量 4 4
端子数量 14 14
最高工作温度 70 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装等效代码 DIP14,.3 SOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TR
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE 260
功率 NO NO
电源 +-15 V +-15 V
可编程功率 NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 1.75 mm
标称压摆率 1 V/us 1 V/us
最大压摆率 0.2 mA 0.2 mA
供电电压上限 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V
表面贴装 NO YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1000 kHz 1000 kHz
最小电压增益 15000 15000
宽带 NO NO
宽度 7.62 mm 3.91 mm

 
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