高电压、大电流达林顿晶体管阵列
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| Samacsys Description | High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Array |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | COMPLEX |
| JEDEC-95代码 | MS-001BB |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 元件数量 | 7 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.6 V |
| ULN2004AN | ULN2003ADR | |
|---|---|---|
| 描述 | 高电压、大电流达林顿晶体管阵列 | 高电压、大电流达林顿晶体管阵列 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC |
| 包装说明 | DIP-16 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 6 weeks |
| Samacsys Description | High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Array | Trans Darlington NPN 50V 0.5A SOIC16 Texas Instruments ULN2003ADR, 7-element NPN Darlington Transistor Array, 0.5 A 50 V, 16-Pin SOIC |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V |
| 配置 | COMPLEX | COMPLEX |
| JEDEC-95代码 | MS-001BB | MS-012AC |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e4 | e3 |
| 元件数量 | 7 | 7 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.6 V | 1.6 V |
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