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TLC2201CD

产品描述增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):2.7 V/us 电源电压:4.6V ~ 16V, ±2.3V ~ 8V 低噪声精密轨至轨输出运算放大器
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共70页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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TLC2201CD概述

增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):2.7 V/us 电源电压:4.6V ~ 16V, ±2.3V ~ 8V 低噪声精密轨至轨输出运算放大器

TLC2201CD规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.0001 µA
最小共模抑制比85 dB
标称共模抑制比85 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00006 µA
最大输入失调电压600 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调YES
微功率NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限-8 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-2.3/+-8/4.6/16 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率1.5 V/us
标称压摆率2.7 V/us
最大压摆率1.5 mA
供电电压上限8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1900 kHz
最小电压增益70000
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

TLC2201CD相似产品对比

TLC2201CD TLC2201AMDG4 TLC2202CPS
描述 增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):2.7 V/us 电源电压:4.6V ~ 16V, ±2.3V ~ 8V 低噪声精密轨至轨输出运算放大器 增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):2.7 V/us 电源电压:4.6V ~ 16V, ±2.3V ~ 8V 低噪声精密高级 LinCMOS? 一路运算放大器 增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):2.7 V/us 电源电压:4.6V ~ 16V, ±2.3V ~ 8V 双路低噪音精密轨至轨运算放大器
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC
针数 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 6 weeks 1 week
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0001 µA 0.00006 µA 0.0001 µA
标称共模抑制比 85 dB 110 dB 115 dB
最大输入失调电压 600 µV 200 µV 1150 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4 e4
长度 4.9 mm 4.9 mm 6.2 mm
湿度敏感等级 1 1 1
负供电电压上限 -8 V -8 V -8 V
标称负供电电压 (Vsup) -5 V -5 V -5 V
功能数量 1 1 2
端子数量 8 8 8
最高工作温度 70 °C 125 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm 2 mm
标称压摆率 2.7 V/us 2.5 V/us 2.7 V/us
供电电压上限 8 V 8 V 8 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1900 kHz 1800 kHz 1900 kHz
宽度 3.9 mm 3.91 mm 5.3 mm
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOIC-8 -
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK -
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.0001 µA 0.0005 µA -
最小共模抑制比 85 dB 90 dB -
频率补偿 YES YES -
最大输入失调电流 (IIO) 0.00006 µA 0.00006 µA -
低-偏置 YES YES -
低-失调 YES YES -
微功率 NO NO -
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 -
包装方法 TUBE TR -
功率 NO NO -
电源 +-2.3/+-8/4.6/16 V +-2.3/+-8/4.6/16 V -
可编程功率 NO NO -
最小摆率 1.5 V/us 1.3 V/us -
最大压摆率 1.5 mA 1.5 mA -
最小电压增益 70000 45000 -
宽带 NO NO -
Base Number Matches 1 1 -
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