增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:1 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):3.1 V/us 电源电压:3.8V ~ 16V, ±1.9V ~ 8V
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
Samacsys Description | TLC2652ACP, Operational Amplifier Chopper Stabilized 1.9MHz CMOS 5 to 15V, 8-Pin PDIP |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | CHOPPER-STAB |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
最小共模抑制比 | 120 dB |
标称共模抑制比 | 140 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.00006 µA |
最大输入失调电压 | 1 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 9.81 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | YES |
微功率 | NO |
湿度敏感等级 | 1 |
负供电电压上限 | -8 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
包装方法 | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
功率 | NO |
电源 | +-5 V |
可编程功率 | NO |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最小摆率 | 1.5 V/us |
标称压摆率 | 2.8 V/us |
最大压摆率 | 2.4 mA |
供电电压上限 | 8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 1900 kHz |
最小电压增益 | 3162277.7 |
宽带 | NO |
宽度 | 7.62 mm |
TLC2652ACP | TLC2652Q-8DG4 | |
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描述 | 增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:1 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):3.1 V/us 电源电压:3.8V ~ 16V, ±1.9V ~ 8V | 增益带宽积(GBP):1.9MHz 放大器组数:1 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:- 压摆率(SR):3.1 V/us 电源电压:3.8V ~ 16V, ±1.9V ~ 8V 精密截波稳定型运算放大器 |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | DIP | SOIC |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week | 1 week |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | CHOPPER-STAB | CHOPPER-STAB |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
最小共模抑制比 | 120 dB | 120 dB |
标称共模抑制比 | 140 dB | 140 dB |
频率补偿 | YES | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
最大输入失调电压 | 1 µV | 3 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 | e4 |
长度 | 9.81 mm | 4.9 mm |
低-偏置 | YES | YES |
低-失调 | YES | YES |
微功率 | NO | NO |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
负供电电压上限 | -8 V | -8 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | SOP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TUBE | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
功率 | NO | NO |
电源 | +-5 V | +-5 V |
可编程功率 | NO | NO |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm | 1.75 mm |
最小摆率 | 1.5 V/us | 1.3 V/us |
标称压摆率 | 2.8 V/us | 2.8 V/us |
最大压摆率 | 2.4 mA | 2.4 mA |
供电电压上限 | 8 V | 8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 1900 kHz | 1900 kHz |
最小电压增益 | 3162277.7 | 1000000 |
宽带 | NO | NO |
宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm |
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