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TLV2774CDR

产品描述增益带宽积(GBP):5.1MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):10.5 V/us 电源电压:2.5V ~ 5.5V, ±1.25V ~ 2.75V 四路2.7V高转换率轨至轨输出运算放大器
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小3MB,共75页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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TLV2774CDR概述

增益带宽积(GBP):5.1MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):10.5 V/us 电源电压:2.5V ~ 5.5V, ±1.25V ~ 2.75V 四路2.7V高转换率轨至轨输出运算放大器

TLV2774CDR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP14,.25
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00006 µA
最小共模抑制比60 dB
标称共模抑制比96 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00006 µA
最大输入失调电压2500 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e4
长度8.65 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级1
功能数量4
端子数量14
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP14,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源2.7/5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率4.7 V/us
标称压摆率10.5 V/us
最大压摆率2 mA
供电电压上限7 V
标称供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽5100 kHz
最小电压增益13000
宽带NO
宽度3.9 mm
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