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OPA4343UA

产品描述增益带宽积(GBP):5.5MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):6 V/us 电源电压:2.5V ~ 5.5V MicroAmplifier? 系列单电源轨至轨运算放大器
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小859KB,共16页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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OPA4343UA概述

增益带宽积(GBP):5.5MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):6 V/us 电源电压:2.5V ~ 5.5V MicroAmplifier? 系列单电源轨至轨运算放大器

OPA4343UA规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP14,.25
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00001 µA
最小共模抑制比74 dB
标称共模抑制比92 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00001 µA
最大输入失调电压8000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e4
长度8.65 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级2
功能数量4
端子数量14
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP14,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源3/5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
标称压摆率6 V/us
最大压摆率1.25 mA
供电电压上限7.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽5500 kHz
最小电压增益40000
宽带NO
宽度3.91 mm
Base Number Matches1

OPA4343UA相似产品对比

OPA4343UA PTN0505E2341BBT3 PTN0505K2640DSWS OPA343UA/2K5
描述 增益带宽积(GBP):5.5MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):6 V/us 电源电压:2.5V ~ 5.5V MicroAmplifier? 系列单电源轨至轨运算放大器 Fixed Resistor, Thin Film, 0.15W, 2340ohm, 75V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP Fixed Resistor, Thin Film, 0.15W, 264ohm, 75V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP 增益带宽积(GBP):5.5MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:850uA 压摆率(SR):6 V/us 电源电压:2.5V ~ 5.5V 单电源轨至轨运算放大器
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合
包装说明 SOP, SOP14,.25 CHIP CHIP SOIC-8
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 14 2 2 8
最高工作温度 85 °C 155 °C 155 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -55 °C -40 °C
封装形式 SMALL OUTLINE SMT SMT SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TR Waffle Pack TR
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS THIN FILM THIN FILM CMOS
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
JESD-609代码 e4 - e3 e4

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器件名 厂商 描述
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