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OPA313IDCKR

产品描述增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:50uA 压摆率(SR):0.5 V/us 电源电压:1.8V ~ 5.5V 1MHz、微功耗、低噪声、轨到轨 I/O 1.8V 运算放大器
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小3MB,共36页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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OPA313IDCKR概述

增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:50uA 压摆率(SR):0.5 V/us 电源电压:1.8V ~ 5.5V 1MHz、微功耗、低噪声、轨到轨 I/O 1.8V 运算放大器

OPA313IDCKR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SC-70
包装说明TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys Description1-MHz, Micropower, Low-Noise, Rail-to-Rail I/O 1.8-V Operational Amplifier
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00001 µA
最小共模抑制比64 dB
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00001 µA
最大输入失调电压2500 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e4
长度2 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量5
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP5/6,.08
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
可编程功率NO
座面最大高度1.1 mm
标称压摆率0.5 V/us
最大压摆率0.06 mA
供电电压上限7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1000 kHz
最小电压增益31622.776
宽带NO
宽度1.25 mm

OPA313IDCKR相似产品对比

OPA313IDCKR OPA2313IDR
描述 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:50uA 压摆率(SR):0.5 V/us 电源电压:1.8V ~ 5.5V 1MHz、微功耗、低噪声、轨到轨 I/O 1.8V 运算放大器 增益带宽积(GBP):1MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:50uA 压摆率(SR):0.5 V/us 电源电压:1.8V ~ 5.5V
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SC-70 SOIC
包装说明 TSSOP, TSSOP5/6,.08 SOP, SOP8,.25
针数 5 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00001 µA 0.0006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00001 µA 0.00001 µA
最小共模抑制比 64 dB 64 dB
标称共模抑制比 80 dB 80 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.00001 µA 0.00001 µA
最大输入失调电压 2500 µV 2500 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G5 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4
长度 2 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES
低-失调 NO NO
微功率 YES YES
湿度敏感等级 1 2
功能数量 1 2
端子数量 5 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP SOP
封装等效代码 TSSOP5/6,.08 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
包装方法 TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
功率 NO NO
可编程功率 NO NO
座面最大高度 1.1 mm 1.75 mm
标称压摆率 0.5 V/us 0.5 V/us
最大压摆率 0.06 mA 0.12 mA
供电电压上限 7 V 7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1000 kHz 1000 kHz
最小电压增益 31622.776 31620
宽带 NO NO
宽度 1.25 mm 3.91 mm

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