逻辑类型：移位寄存器 额外特性：三态 串行至并行移位寄存器
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOIC-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| 其他特性 | PARALLEL OUTPUT IS REGISTERED; UNREGISTERED SERIAL OUTPUT AVAILABLE |
| 计数方向 | RIGHT |
| 系列 | AHCT/VHCT/VT |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 9.9 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | SERIAL IN PARALLEL OUT |
| 最大频率@ Nom-Sup | 85000000 Hz |
| 最大I（ol） | 0.008 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.04 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 11.4 ns |
| 传播延迟（tpd） | 11.4 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | No |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 最小 fmax | 115 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| SN74AHCT595DR | SN74AHCT595PWR | |
|---|---|---|
| 描述 | 逻辑类型：移位寄存器 额外特性：三态 串行至并行移位寄存器 | 逻辑类型：移位寄存器 额外特性：串行至并行,串行 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC | TSSOP |
| 包装说明 | SOIC-16 | TSSOP, TSSOP16,.25 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 6 weeks | 6 weeks |
| 其他特性 | PARALLEL OUTPUT IS REGISTERED; UNREGISTERED SERIAL OUTPUT AVAILABLE | PARALLEL OUTPUT IS REGISTERED; UNREGISTERED SERIAL OUTPUT AVAILABLE |
| 计数方向 | RIGHT | RIGHT |
| 系列 | AHCT/VHCT/VT | AHCT/VHCT/VT |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 9.9 mm | 5 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | SERIAL IN PARALLEL OUT | SERIAL IN PARALLEL OUT |
| 最大频率@ Nom-Sup | 85000000 Hz | 85000000 Hz |
| 最大I（ol） | 0.008 A | 0.008 A |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 位数 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | TSSOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.25 | TSSOP16,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TR | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.04 mA | 0.04 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 11.4 ns | 11.4 ns |
| 传播延迟（tpd） | 11.4 ns | 11.4 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | No | No |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 3.9 mm | 4.4 mm |
| 最小 fmax | 115 MHz | 115 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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