极性:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:7V 击穿电压(最小值):6.5V 反向关断电压(典型值):- USB1.1 TVS保护器芯片
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | R-PDSO-G8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks |
其他特性 | LOW CAPACITANCE |
最大击穿电压 | 8 V |
最小击穿电压 | 6.5 V |
击穿电压标称值 | 7 V |
配置 | COMPLEX |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | MO-153AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 60 W |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.52 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压 | 6 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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