参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Description | Low Power Dual Operational Amplifiers |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.25 µA |
标称共模抑制比 | 85 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 9000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.817 mm |
低-失调 | NO |
湿度敏感等级 | 1 |
负供电电压上限 | |
标称负供电电压 (Vsup) | |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
包装方法 | RAIL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-1.5/+-15/3/30 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
标称压摆率 | 0.1 V/us |
最大压摆率 | 2 mA |
供电电压上限 | 32 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
最小电压增益 | 15000 |
宽度 | 7.62 mm |
LM358N | LM358AM/NOPB | |
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描述 | Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC Tube |
器件名 | 厂商 | 描述 |
---|---|---|
LM358N/NOPB | Texas Instruments(德州仪器) | Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin PDIP Tube |
LM358MX/NOPB | Texas Instruments(德州仪器) | Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R |
LM358M/NOPB | Texas Instruments(德州仪器) | Low Power Dual Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
LM358DR2G | ON Semiconductor(安森美) | Op Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N T/R |
KA358DTF | Fairchild | Board Mount Temperature Sensors Prgmble Resolution 1-Wire Parasite Pwr |
LM358MX | ON Semiconductor(安森美) | IC OPAMP GP 8SOIC |
LM358M | National Semiconductor(TI ) | OP-AMP |
KA358D | SAMSUNG(三星) | Operational Amplifier, 2 Func, 9000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, 0.225 INCH, SOP-8 |
LM358D | ON Semiconductor(安森美) | Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Lo PWR |
LM358DR2 | ON Semiconductor(安森美) | Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Lo PWR |
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