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LM358N

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共38页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
相似器件已查找到10个与LM358N功能相似器件
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LM358N规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionLow Power Dual Operational Amplifiers
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.05 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.25 µA
标称共模抑制比85 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压9000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
低-失调NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法RAIL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-1.5/+-15/3/30 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率0.1 V/us
最大压摆率2 mA
供电电压上限32 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1000 kHz
最小电压增益15000
宽度7.62 mm

LM358N相似产品对比

LM358N LM358AM/NOPB
描述 Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC Tube

参考设计

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自激型单管谐振电路+音乐灭弧
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与LM358N功能相似器件

器件名 厂商 描述
LM358N/NOPB Texas Instruments(德州仪器) Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin PDIP Tube
LM358MX/NOPB Texas Instruments(德州仪器) Op Amp Dual Low Power Amplifier ±16V/32V 8-Pin SOIC T/R
LM358M/NOPB Texas Instruments(德州仪器) Low Power Dual Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
LM358DR2G ON Semiconductor(安森美) Op Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N T/R
KA358DTF Fairchild Board Mount Temperature Sensors Prgmble Resolution 1-Wire Parasite Pwr
LM358MX ON Semiconductor(安森美) IC OPAMP GP 8SOIC
LM358M National Semiconductor(TI ) OP-AMP
KA358D SAMSUNG(三星) Operational Amplifier, 2 Func, 9000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, 0.225 INCH, SOP-8
LM358D ON Semiconductor(安森美) Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Lo PWR
LM358DR2 ON Semiconductor(安森美) Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Lo PWR

 
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