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THS4521IDGKR

产品描述增益带宽积(GBP):95MHz 放大器组数:1 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):600 V/us 电源电压:2.5V ~ 5.5V, ±1.25V ~ 2.75V 极低功耗轨至轨输出全差动放大器
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共65页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

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THS4521IDGKR概述

增益带宽积(GBP):95MHz 放大器组数:1 运放类型:Differential 各通道功耗:- 压摆率(SR):600 V/us 电源电压:2.5V ~ 5.5V, ±1.25V ~ 2.75V 极低功耗轨至轨输出全差动放大器

THS4521IDGKR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码MSOP
包装说明TSSOP, TSSOP8,.19
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys DescriptionVery low power rail-to-rail output fully differential amplifier
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.9 µA
标称带宽 (3dB)9.3 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.9 µA
最小共模抑制比80 dB
标称共模抑制比102 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.18 µA
最大输入失调电压2000 µV
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度3 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级2
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源3.3/5 V
可编程功率YES
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
标称压摆率490 V/us
最大压摆率1.25 mA
供电电压上限5.5 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽95000 kHz
最小电压增益100000
宽带YES
宽度3 mm
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