增益带宽积（GBP）：11MHz 放大器组数：1 运放类型：J-FET 各通道功耗：- 压摆率（SR）：20 V/us 电源电压：4.5V ~ 36V, ±2.25V ~ 18V 11MHz 单电源、低噪声、精密轨至轨输出 JFET 放大器
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| Samacsys Description | 11MHz, Single Supply, Low Noise, Precision, Rail-to-Rail Output, JFET Amplifier |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00001 µA |
| 最小共模抑制比 | 126 dB |
| 标称共模抑制比 | 140 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.001 µA |
| 最大输入失调电压 | 120 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | YES |
| 微功率 | NO |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 负供电电压上限 | -20 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -18 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-2.25/+-18/4.5/36 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 标称压摆率 | 20 V/us |
| 最大压摆率 | 2 mA |
| 供电电压上限 | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 18 V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 11000 kHz |
| 最小电压增益 | 251000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 3.9 mm |
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