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TLV2252AIDR

产品描述增益带宽积(GBP):200kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:70uA 压摆率(SR):0.12 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V 芯片 运算放大器 双通道 SMD, 运放类型: 低功率 放大器数目: 2 摆率: 0.1V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 187kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 变化斜率: 0.12V/μs 增益带宽: 0.2MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 2.7V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 0.85mV
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共61页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数 选型对比

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TLV2252AIDR概述

增益带宽积(GBP):200kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:70uA 压摆率(SR):0.12 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V 芯片 运算放大器 双通道 SMD, 运放类型: 低功率 放大器数目: 2 摆率: 0.1V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 187kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 变化斜率: 0.12V/μs 增益带宽: 0.2MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 2.7V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 0.85mV

TLV2252AIDR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00006 µA
最小共模抑制比70 dB
标称共模抑制比83 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00006 µA
最大输入失调电压850 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-1.35/+-4/2.7/8 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率0.05 V/us
标称压摆率0.12 V/us
最大压摆率0.125 mA
供电电压上限16 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽200 kHz
最小电压增益10000
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

TLV2252AIDR相似产品对比

TLV2252AIDR TLV2252AID
描述 增益带宽积(GBP):200kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:70uA 压摆率(SR):0.12 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V 芯片 运算放大器 双通道 SMD, 运放类型: 低功率 放大器数目: 2 摆率: 0.1V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 187kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 变化斜率: 0.12V/μs 增益带宽: 0.2MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 2.7V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 0.85mV 增益带宽积(GBP):200kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:70uA 压摆率(SR):0.12 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V LINMOS轨对轨低功耗运算放大器
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 1 week
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.001 µA 0.001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA
最小共模抑制比 70 dB 70 dB
标称共模抑制比 83 dB 83 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.00006 µA 0.00006 µA
最大输入失调电压 850 µV 850 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4
长度 4.9 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES
低-失调 NO NO
微功率 YES YES
湿度敏感等级 1 1
功能数量 2 2
端子数量 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
包装方法 TR TUBE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
功率 NO NO
电源 +-1.35/+-4/2.7/8 V +-1.35/+-4/2.7/8 V
可编程功率 NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm
最小摆率 0.05 V/us 0.05 V/us
标称压摆率 0.12 V/us 0.12 V/us
最大压摆率 0.125 mA 0.125 mA
供电电压上限 16 V 16 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 200 kHz 200 kHz
最小电压增益 10000 10000
宽带 NO NO
宽度 3.9 mm 3.9 mm
Base Number Matches 1 1
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