增益带宽积(GBP):200kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:70uA 压摆率(SR):0.12 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V 芯片 运算放大器 双通道 SMD, 运放类型: 低功率 放大器数目: 2 摆率: 0.1V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 187kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 变化斜率: 0.12V/μs 增益带宽: 0.2MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 2.7V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 0.85mV
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.001 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
最小共模抑制比 | 70 dB |
标称共模抑制比 | 83 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.00006 µA |
最大输入失调电压 | 850 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 4.9 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
微功率 | YES |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
功率 | NO |
电源 | +-1.35/+-4/2.7/8 V |
可编程功率 | NO |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最小摆率 | 0.05 V/us |
标称压摆率 | 0.12 V/us |
最大压摆率 | 0.125 mA |
供电电压上限 | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 200 kHz |
最小电压增益 | 10000 |
宽带 | NO |
宽度 | 3.9 mm |
Base Number Matches | 1 |
TLV2252AIDR | TLV2252AID | |
---|---|---|
描述 | 增益带宽积(GBP):200kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:70uA 压摆率(SR):0.12 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V 芯片 运算放大器 双通道 SMD, 运放类型: 低功率 放大器数目: 2 摆率: 0.1V/μs 电源电压范围: 2.7V 至 8V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 187kHz 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C MSL: MSL 1 -无限制 变化斜率: 0.12V/μs 增益带宽: 0.2MHz 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 电源电压最大值: 16V 电源电压最小值: 2.7V 输入/输出类型: Rail-Rail Outputs 输入偏移电压 最大: 0.85mV | 增益带宽积(GBP):200kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:70uA 压摆率(SR):0.12 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V LINMOS轨对轨低功耗运算放大器 |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | SOIC | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks | 1 week |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.001 µA | 0.001 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
最小共模抑制比 | 70 dB | 70 dB |
标称共模抑制比 | 83 dB | 83 dB |
频率补偿 | YES | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
最大输入失调电压 | 850 µV | 850 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 | e4 |
长度 | 4.9 mm | 4.9 mm |
低-偏置 | YES | YES |
低-失调 | NO | NO |
微功率 | YES | YES |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
功能数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TR | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
功率 | NO | NO |
电源 | +-1.35/+-4/2.7/8 V | +-1.35/+-4/2.7/8 V |
可编程功率 | NO | NO |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm |
最小摆率 | 0.05 V/us | 0.05 V/us |
标称压摆率 | 0.12 V/us | 0.12 V/us |
最大压摆率 | 0.125 mA | 0.125 mA |
供电电压上限 | 16 V | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 200 kHz | 200 kHz |
最小电压增益 | 10000 | 10000 |
宽带 | NO | NO |
宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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