增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.3 V/us 电源电压：3V ~ 15.5V, ±1.5V ~ 7.75V
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOIC-14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA |
| 最小共模抑制比 | 65 dB |
| 标称共模抑制比 | 82 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.000002 µA |
| 最大输入失调电压 | 750 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 8.6235 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 功率 | NO |
| 电源 | 3/15 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.753 mm |
| 最小摆率 | 0.63 V/us |
| 标称压摆率 | 1.3 V/us |
| 最大压摆率 | 0.7 mA |
| 供电电压上限 | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1500 kHz |
| 最小电压增益 | 10000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 3.899 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| LMC6484IMX/NOPB | LMC6484AIN/NOPB | LMC6484IM/NOPB | LMC6484AIMX/NOPB | LMC6484IN/NOPB | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.3 V/us 电源电压：3V ~ 15.5V, ±1.5V ~ 7.75V | 增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.3 V/us 电源电压：3V ~ 15.5V, ±1.5V ~ 7.75V CMOS 四路轨至轨输入和输出运算放大器 | 增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.3 V/us 电源电压：3V ~ 15.5V, ±1.5V ~ 7.75V CMOS 四路轨至轨输入和输出运算放大器 | 增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.3 V/us 电源电压：3V ~ 15.5V, ±1.5V ~ 7.75V CMOS 四路轨至轨输入和输出运算放大器 | 增益带宽积（GBP）：1.5MHz 放大器组数：4 运放类型：General Purpose 各通道功耗：- 压摆率（SR）：1.3 V/us 电源电压：3V ~ 15.5V, ±1.5V ~ 7.75V CMOS 四路轨至轨输入和输出运算放大器 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC | DIP | SOIC | SOIC | DIP |
| 包装说明 | SOIC-14 | DIP, DIP14,.3 | SOIC-14 | SOIC-14 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 | 14 | 14 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week | 1 week | 6 weeks | 1 week |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA | 0.000002 µA | 0.000002 µA | 0.000004 µA | 0.000002 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA | 0.000004 µA | 0.000004 µA | 0.000004 µA | 0.000004 µA |
| 最小共模抑制比 | 65 dB | 65 dB | 65 dB | 65 dB | 65 dB |
| 标称共模抑制比 | 82 dB | 82 dB | 82 dB | 82 dB | 82 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.000002 µA | 0.000002 µA | 0.000002 µA | 0.000002 µA | 0.000002 µA |
| 最大输入失调电压 | 750 µV | 750 µV | 750 µV | 750 µV | 750 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 | R-PDIP-T14 | R-PDSO-G14 | R-PDSO-G14 | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 |
| 长度 | 8.6235 mm | 19.18 mm | 8.6235 mm | 8.6235 mm | 19.18 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 微功率 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 14 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | DIP | SOP | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 | DIP14,.3 | SOP14,.25 | SOP14,.25 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 包装方法 | TR | TUBE | TUBE | TR | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT APPLICABLE | 260 | 260 | NOT APPLICABLE |
| 功率 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 电源 | 3/15 V | 3/15 V | 3/15 V | 3/15 V | 3/15 V |
| 可编程功率 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.753 mm | 5.08 mm | 1.753 mm | 1.753 mm | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 0.63 V/us | 0.7 V/us | 0.63 V/us | 0.7 V/us | 0.63 V/us |
| 标称压摆率 | 1.3 V/us | 1.3 V/us | 1.3 V/us | 1.3 V/us | 1.3 V/us |
| 最大压摆率 | 0.7 mA | 0.7 mA | 0.7 mA | 0.7 mA | 0.7 mA |
| 供电电压上限 | 16 V | 16 V | 16 V | 16 V | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 5 V | 3 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1500 kHz | 1500 kHz | 1500 kHz | 1500 kHz | 1500 kHz |
| 最小电压增益 | 10000 | 13000 | 10000 | 13000 | 10000 |
| 宽带 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 宽度 | 3.899 mm | 7.62 mm | 3.899 mm | 3.899 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
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