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OPA2335AIDR

产品描述增益带宽积(GBP):2MHz 放大器组数:2 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:570uA 压摆率(SR):1.6 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共32页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到7个与OPA2335AIDR功能相似器件
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OPA2335AIDR概述

增益带宽积(GBP):2MHz 放大器组数:2 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:570uA 压摆率(SR):1.6 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V

OPA2335AIDR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构CHOPPER-STAB
最大平均偏置电流 (IIB)0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.0002 µA
最小共模抑制比110 dB
标称共模抑制比130 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.0004 µA
最大输入失调电压5 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调YES
微功率YES
湿度敏感等级2
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
标称压摆率1.6 V/us
最大压摆率0.7 mA
供电电压上限7 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽2000 kHz
最小电压增益316000
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

OPA2335AIDR相似产品对比

OPA2335AIDR OPA335AIDR
描述 增益带宽积(GBP):2MHz 放大器组数:2 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:570uA 压摆率(SR):1.6 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V 增益带宽积(GBP):2MHz 放大器组数:1 运放类型:Zero-Drift 各通道功耗:285uA 压摆率(SR):1.6 V/us 电源电压:2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 CHOPPER-STAB CHOPPER-STAB
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0002 µA 0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.0002 µA 0.0002 µA
最小共模抑制比 110 dB 110 dB
标称共模抑制比 130 dB 130 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.0004 µA 0.0004 µA
最大输入失调电压 5 µV 5 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4
长度 4.9 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES
低-失调 YES YES
微功率 YES YES
湿度敏感等级 2 2
功能数量 2 1
端子数量 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
包装方法 TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
功率 NO NO
电源 +-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V +-1.35/+-2.75/2.7/5.5 V
可编程功率 NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm
标称压摆率 1.6 V/us 1.6 V/us
最大压摆率 0.7 mA 0.35 mA
供电电压上限 7 V 7 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 2000 kHz 2000 kHz
最小电压增益 316000 316000
宽带 NO NO
宽度 3.9 mm 3.9 mm

与OPA2335AIDR功能相似器件

器件名 厂商 描述
OPA2335AID Texas Instruments(德州仪器) 0.05uV/C max, Single-Supply CMOS Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
OPA2335AIDG4 Texas Instruments(德州仪器) 0.05uV/C max, Single-Supply CMOS Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
OPA2735AID Texas Instruments(德州仪器) 0.05uV/degC(max) single-supply CMOS Operational AMplifier, Zero-Drift Series 8-SOIC -40 to 85
OPA2735AIDR Texas Instruments(德州仪器) 0.05uV/degC(max) single-supply CMOS Operational AMplifier, Zero-Drift Series 8-SOIC -40 to 85
OPA2735AIDGKR Texas Instruments(德州仪器) 0.05uV/degC(max) single-supply CMOS Operational AMplifier, Zero-Drift Series 8-VSSOP -40 to 85
OPA2735AIDGKT Texas Instruments(德州仪器) 0.05uV/degC(max) single-supply CMOS Operational AMplifier, Zero-Drift Series 8-VSSOP -40 to 85
OPA2735AIDG4 Texas Instruments(德州仪器) 0.05uV/degC(max) single-supply CMOS Operational AMplifier, Zero-Drift Series 8-SOIC -40 to 85

 
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