反向恢复时间（trr）：3us 直流反向耐压（Vr）：75V 平均整流电流（Io）：100mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 150mA 75V,200mA
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.9 V |
| JEDEC-95代码 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 0.5 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 0.2 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 最大功率耗散 | 0.225 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 75 V |
| 最大反向恢复时间 | 3 µs |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| Base Number Matches | 1 |
| BAS116LT1G | SBAS116LT1G | |
|---|---|---|
| 描述 | 反向恢复时间（trr）：3us 直流反向耐压（Vr）：75V 平均整流电流（Io）：100mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 150mA 75V,200mA | 反向恢复时间（trr）：3us 直流反向耐压（Vr）：75V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 150mA |
| Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 零件包装代码 | SOT-23 | SOT-23 |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | 318-08 | 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 4 weeks |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.9 V | 0.9 V |
| JEDEC-95代码 | TO-236 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 0.5 A | 0.5 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 最大输出电流 | 0.2 A | 0.2 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.225 W | 0.225 W |
| 最大重复峰值反向电压 | 75 V | 75 V |
| 最大反向恢复时间 | 3 µs | 3 µs |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
嵌入式系统
无线连接
PCB设计
TI技术论坛
嵌入式系统
微控制器 MCU
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
