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FDS8935

产品描述漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:183mΩ @ 2.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:双P沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小273KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDS8935在线购买

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FDS8935概述

漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:183mΩ @ 2.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:双P沟道

FDS8935规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SOP-8
制造商包装代码751EB
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionFDS8935, Dual P-channel MOSFET Transistor, -2.1 A -80 V, 8-Pin SOIC
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.1 A
最大漏极电流 (ID)2.1 A
最大漏源导通电阻0.183 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)36 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.1 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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