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1N6816R

产品描述LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6816R概述

LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

1N6816R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明S-CXSO-G1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-CXSO-G1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最大输出电流25 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压45 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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2830 S. Fairview St.
Santa Ana, CA 92704
PH: (714) 979-8220
FAX: (714) 966-5256
Features
Tungsten schottky barrier
Oxide passivated structure for very low leakage currents
Guard ring protection for increased reverse energy capability
Epitaxial structure minimizes forward voltage drop
Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package
Low package inductance
Very low thermal resistance
Available as standard polarity (strap-to-anode, 1N6816) and reverse
polarity (strap-to-cathode: 1N6816R)
MSASC25W45K
(1N6816)
MSASC25W45KR
(1N6816R)
45 Volts
25 Amps
LOW LEAKAGE
SCHOTTKY DIODE
MAX.
45
45
45
25
(3.3)
125
2
-55 to +175
-55 to +175
1.25
1.35
UNIT
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps/°
C
Amps
Amp
°
C
°
C
°
C/W
Maximum Ratings @ 25° (unless otherwise specified)
C
DESCRIPTION
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current, Tc≤ 145°
C
derating, forward current, Tc≥ 145°
C
Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave
Peak Repetitive Reverse Surge Current, tp= 1µs, f= 1kHz
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction to Case:
1N6816
1N6816R
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(ave)
dI
F
/dT
I
FSM
I
RRM
T
j
T
stg
θ
JC
Mechanical Outline
ThinKey™ 2
Datasheet# MSC1033A

1N6816R相似产品对比

1N6816R 1N6816 MSASC25W45KR MSASC25W45K
描述 LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
Reach Compliance Code compliant compliant unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 S-CXSO-G1 S-CXSO-G1 S-CXSO-G1 S-CXSO-G1
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A 125 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 1 1 1 1
最大输出电流 25 A 25 A 25 A 25 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 45 V 45 V 45 V 45 V
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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