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SMCJ30A

产品描述SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小1MB,共7页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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SMCJ30A概述

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器

功能特点

产品名称:SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器


产品型号:SMCJ30A


产品特征:


For surface mounted application


Low profile package


Built-in strain relief


Glass passivated junction


Fast response time : Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min.


Typical IR less than 1uA above 10V


High temperature soldering guaranteed: 250℃/ 10 seconds at terminals


Plastic material used carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0


600 watts peak pulse power capability with a 10×1000 us waveform by 0.01% duty cycle



机械数据:


Casea: molded plastic


Terminals: Solder plated


Polarity: Indicated by cathode band


Standard Pcakaging : 16mm tape (EIA STD RS-481)


Weight: 0.21 gram



最大额定值和电气特性:


Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.



产品数据:


Peak Power Dissipation at Ta=25℃ Tp=1ms PPK 正向功耗:Minimun 1500W


Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method)- Unidirectional Only IFSM 正向脉冲流: 100A


Maximum Instaneous Forward Voltage at 100A for Unidirectional Only


VF 最正向压降:3.5/5.0 V


Operating and Storage Temperature Range Tj. Tstg 工作结温:-55 to +150℃


Breakdown Voltage V(BR) 击穿电压 : Min: 33.3V Max:36.8V


Test Current at IT 测试电流:1.0mA


Stand-Off Voltage Vwm 变位电压:30.0V


Max Reverse Leakage at Vwm IR 最大反向漏电流: 5μA


Max Peak Pulse Current IPPM 最大峰值脉冲电流:32A


Max Clamping Voltage at IPPM VC 最大箝位电压:48.4V



封装:SMC/DO214-AB


SMCJ30A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压36.8 V
最小击穿电压33.3 V
击穿电压标称值35.05 V
最大钳位电压48.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)3.5 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流5 µA
反向测试电压30 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
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